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中国自主研发内存即将问世 内存垄断格局要变天

信息来源: /  时间:2019/9/2 15:58:30 

  在进军NAND闪存之后,紫光集团前几日又跟重庆政府签署了合作协议,将在当地建设内存研发中心及晶圆厂,投资规模尚未公布,2021年将量产国产自主的内存芯片。紫光集团今年6月份组建了DRAM内存事业部,委任刁石京为紫光集团DRAM事业群董事长,委任高启全为紫光集团DRAM事业群CEO,正式进军内存芯片产业,重庆的工厂预计今年底动工,2021年量产,工期约为两年左右。

  对于内存产业,紫光集团觊觎这个市场也不是一天两天了,早前报道称在投资NAND闪存生产为主的长江存储之前,紫光最初打算就是先做DRAM内存的,不过内存的门槛更高,所需的人才、投资要求也更麻烦一些,所以紫光是先做了闪存,现在才正式进军内存。

  从紫光之前公布的信息来看,得益于在长江存储等公司上的积累,紫光集团已经组建了一只庞大的科研队伍,存储芯片方面的研发人员超过2000人,这是紫光建设内存工厂、研发生产内存的基础。

  目前全球的内存主要控制在韩国三星、SK海力士及美国美光三家公司中,他们占据的内存市场份额高达95%,而且技术也是最先进的,其他国家和地区的公司尚无能与之抗衡的。

  从现实情况来看,紫光公司的内存工厂不仅还有2年时间才能量产,而且即便量产了,初期的产能也会非常有限,需要不断解决良率、产能等问题,在全球内存市场每月大约200万片晶圆的产能中,紫光公司未来几年的份额都会非常小,很难在几年内改变内存市场格局。

  但是紫光进军内存市场依然让这些公司产生了警觉,尤其是这一年及未来的一两年内,全球内存面临产能过剩的问题,一旦中国公司进入战场,势必会展开价格战,现有的公司非常担心中国公司带来的冲击。

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